000 03139cam0 2200445 ia4500
001 BY-HO0000-br561513
005 20190320125636.0
035 ^a(BY-HO0000)BY-HO0000-br561513
100 ^a20180829d2018 k y0rusy50 ca
101 0 ^arus
^deng
^drus
^dbel
102 ^aBY
105 ^ay m 000yy
109 ^aac
^aaa
200 1 ^aИонно-плазменное формирование конденсаторных структур на основе танталата стронция-висмута для элементов сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти
^eавтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
^eспециальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
^fОкоджи Джейкобс Эхимэир
^gУчреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники"
210 ^aМинск
^d2018
215 ^a21 с.
300 ^aРезюме параллельно на белорусском, русском и английском языках
320 ^aБиблиография: с. 17—18 (10 назв.)
606 0 ^3BY-NLB-ar18376
^aМИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar12168
^aИОННО-ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar33866
^aТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ РЕШЕНИЯ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar5261136
^aСЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar4914454
^aТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ПОКРЫТИЯ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar34161
^aТОНКИЕ ПЛЕНКИ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar8280944
^aСЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar29520
^aСЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar3170564
^aМНОГОСЛОЙНЫЕ СТРУКТУРЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar19558
^aНАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar11806834
^aВАКУУМНО-ДУГОВОЕ НАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ
^2DVNLB
615 ^3BY-SEK-ar1826174
^aБелорусский национальный документ
686 ^a22.379.2
^2rubbk
690 ^a1
^2Base
^9BY-HO0000
^xRSEK
690 ^a11
^2Vid
^9BY-HO0000
700 1 ^3BY-SEK-ar13319671
^aОкоджи
^bД. Э.
^gДжейкобс Эхимэир
^cэлектронная техника
712 0 2 ^3BY-NLB-ar186905
^aБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
^cМинск
^4995
801 0 ^aBY
^bBY-HO0000
^gpsbo
^c20190320
899 0 ^aBY-HO0000
^iО-51