000 03179cam0 2200493 ia4500
001 BY-NLB-br0001581491
005 20200206122356.0
100 ^a20191016d2019 k y0rusy50 ca
101 0 ^arus
^deng
^drus
^dbel
102 ^aBY
105 ^aa m 000yy
109 ^aac
^aaa
200 1 ^aСтруктурные, оптические и электрические характеристики прямозонных полупроводников Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSn(S,Se)4 и гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge
^eавтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
^eспециальность 01.04.10 Физика полупроводников
^fЖивулько Вадим Дмитриевич
^gГосударственное научное учреждение "Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению"
210 ^aМинск
^d2019
215 ^a24 с.
^cил.
300 ^aРезюме параллельно на белорусском, русском и английском языках
320 ^aБиблиография: с. 18—21 (21 назв.)
606 0 ^3BY-NLB-ar2749267
^aФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar2743697
^aИСПОЛЬЗОВАНИЕ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar2775397
^aСОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar6391905
^aСТРУКТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar1872074
^aОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar38874
^aЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar5000684
^aПРЯМОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar18584
^aМНОГОКОМПОНЕНТНЫЕ СИСТЕМЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar1659663
^aПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar32980
^aТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-SEK-ar12061486
^aКЕСТЕРИТЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar1658634
^aПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar87662
^aКВАНТОВЫЕ ТОЧКИ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar17342
^aЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
^2DVNLB
615 ^3BY-SEK-ar1826174
^aБелорусский национальный документ
686 ^a22.379
^2rubbk
690 ^a1
^9BY-HО0000
^2Base
^xRSEK
690 ^a11
^9BY-HО0000
^2Vid
700 1 ^3BY-SEK-ar13604995
^aЖивулько
^bВ. Д.
^gВадим Дмитриевич
712 0 2 ^3BY-NLB-ar3138842
^aНаучно-практический центр по материаловедению
^cМинск
^4995
801 0 ^aBY
^bBY-HM0000
^c20191003
^gRCR
801 2 ^aBY
^9BY-HО0000
^c20200206
^gRCR
035 ^a(BY-HO0000)BY-NLB-br0001581491
899 0 ^aBY-HO0000
^iЖ67