000 02884nam0 2200445 ia4500
001 BY-NLB-br0001644679
005 20201208171443.0
100 ^a20201002d2020 k||||rusy50 ca
101 0 ^arus
102 ^aBY
105 ^aa m 000yy
109 ^aac
^aaa
200 1 ^aФормирование тонкопленочных изолирующих слоев с высокой диэлектрической проницаемостью для интегральных МДП структур реактивным магнетронным распылением
^eавтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
^eспециальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
^fВилья Пинеда Номар Альберто
^gУчреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники"
210 ^aМинск
^d2020
215 ^a21 с.
^cил., табл.
300 ^aРезюме параллельно на белорусском, русском и английском языках
320 ^aБиблиография: с. 17—18 (10 назв.)
606 0 ^3BY-NLB-ar11906
^aИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar34171
^aТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar2644768
^aТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar55300
^aМДП-СТРУКТУРЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar33870
^aТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar34161
^aТОНКИЕ ПЛЕНКИ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar1756760
^aДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar9573
^aДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar19558
^aНАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar4777100
^aМАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar23654
^aПЛАЗМЕННАЕ НАПЫЛЕННЕ
^2DVNLB
615 ^3BY-SEK-ar1826174
^aБелорусский национальный документ
686 ^a32.844.15
^2rubbk
690 ^a1
^2Base
^9BY-HO0000
^xRSEK
690 ^a11
^2Vid
^9BY-HO0000
700 1 ^3BY-SEK-ar13823980
^aВилья
^bП. Н. А.
^gПинеда Номар Альберто
801 0 ^aBY
^bBY-HM0000
^c20200909
^gRCR
801 0 ^aBY
^bBY-HO0000
^c20201208
^gRCR
035 ^a(BY-HO0000)BY-NLB-br0001644679
899 0 ^aBY-HO0000
^iВ46