| 000 | 02012cam0 2200421 ib4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BY-HO0000-br233669 | ||
| 005 | 20211220130037.0 | ||
| 010 |
^a985-6227-92-5 ^d700 р. |
||
| 035 | ^a(BY-HO0000)BY-HO0000-br233669 | ||
| 100 | ^a20081128d2000 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | ^arus | |
| 102 | ^aBY | ||
| 105 | ^aa z 000yy | ||
| 109 | ^aaa | ||
| 200 | 1 |
^aЧисленное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов ^fИ. И. Абрамов, Е. Г. Новик ^gБел. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники |
|
| 210 |
^aМинск ^cБестпринт ^d2000 |
||
| 215 | ^a163 с. | ||
| 300 | ^aБиблиография: с. 152—161 (122 назв.). | ||
| 345 | ^9300 экз. | ||
| 606 | 0 |
^3BY-NLB-ar37857 ^aЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ^2DVNLB |
|
| 606 | 0 |
^3BY-NLB-ar45117 ^aНАНОЭЛЕКТРОНИКА ^2DVNLB |
|
| 606 | 0 |
^3BY-NLB-ar82122 ^aТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ ^2DVNLB |
|
| 606 | 0 |
^3BY-NLB-ar34409 ^aТРАНЗІСТАРЫ ^2DVNLB |
|
| 606 | 0 |
^3BY-NLB-ar37858 ^aЛІКАВАЕ МАДЭЛЯВАННЕ ^2DVNLB |
|
| 606 | 0 |
^3BY-NLB-ar45118 ^aНАНАЭЛЕКТРОНІКА ^2DVNLB |
|
| 606 | 0 |
^3BY-NLB-ar34408 ^aТРАНЗИСТОРЫ ^2DVNLB |
|
| 606 | 0 |
^3BY-NLB-ar82123 ^aТУНЭЛЬНЫ ЭФЕКТ ^2DVNLB |
|
| 686 |
^a32.852.3 ^2rubbk |
||
| 690 |
^a1 ^2Base ^9BY-HO0000 ^xRSEK |
||
| 690 |
^a1 ^2Vid ^9BY-HO0000 |
||
| 700 | 1 |
^3BY-NLB-ar2447481 ^aАбрамов ^bИ. И. ^gИгорь Иванович ^cдоктор физико-математических наук ^fрод. 1954 |
|
| 701 | 1 |
^3BY-SEK-373602 ^aНовик ^bЕ. Г. ^gЕлена Геннадьевна |
|
| 712 | 0 | 2 |
^3BY-NLB-ar186905 ^aБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ^cМинск |
| 801 | 0 |
^aBY ^bBY-HO0000 ^gpsbo |
|
| 899 | 0 |
^aBY-HO0000 ^iА16 |
|