000 03117cam0 2200457 ia4500
001 BY-CNB-br5716421
005 20241120101931.0
100 ^a20230919d2023 k y0rusy50 ca
101 0 ^arus
^dbel
^drus
^deng
102 ^aBY
105 ^aa m 000yy
109 ^aac
200 1 ^aФормирование тонкопленочных слоев с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением
^eавтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
^eспециальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
^fДоан Тхе Хоанг
^gУчреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники"
210 ^aМинск
^d2023
215 ^a21 с.
^cил., схемы
300 ^aРезюме параллельно на бел., рус., англ. языках
320 ^aБиблиография: с. 17—18 (13 назв.)
517 1 ^aФормирование тонкоплёночных слоёв с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением
606 0 ^3BY-NLB-ar34171
^aТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar34161
^aТОНКИЕ ПЛЕНКИ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar1670946
^aСЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar9573
^aДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar4777100
^aМАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar19558
^aНАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar39284
^aЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar15827
^aЛЕГИРОВАНИЕ
^2DVNLB
615 ^3BY-SEK-ar1826174
^aБелорусский национальный документ
686 ^a22.379.316
^2rubbk
686 ^a32.843.4
^2rubbk
686 ^a24.116.1
^2rubbk
690 ^a1
^2Base
^9BY-HO0000
^xRSEK
690 ^a11
^2Vid
^9BY-HO0000
700 0 ^3BY-CNB-ar2722762
^aДоан Тхе Хоанг
^cкандидат технических наук
^cмикроэлектроника
712 0 2 ^3BY-NLB-ar186905
^aБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
^cМинск
^4595
^4995
801 0 ^aBY
^bBY-HM0005
^c20230921
^gRCR
801 2 ^aBY
^bBY-HO0000
^c20241120
^gRCR
035 ^a(BY-HO0000)BY-CNB-br5716421
899 0 ^aBY-HO0000
^iД55