000 02940cam0 2200493 ia4500
001 BY-CNB-br5762067
005 20250731152820.0
100 ^a20250217d2025 k y0rusy50 ca
101 0 ^arus
^dbel
^drus
^deng
102 ^aBY
105 ^aa m 000yy
109 ^aac
^aaa
200 1 ^aБыстрое вакуумно-термическое формирование эпитаксиальных слоев 3C-SiC и барьерных структур на их основе
^eавтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
^eспециальность 01.04.10 Физика полупроводников
^fЛобанок Михаил Владимирович
^gБелорусский государственный университет
210 ^aМинск
^d2025
215 ^a23 с.
^cил., цв. ил., табл.
^d21 см
300 ^aРезюме параллельно на белорусском, русском и английском языке
320 ^aБиблиография: с. 17—20 (27 назв.)
345 ^960 экз.
606 ^3BY-NLB-ar24588
^aПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar8902665
^aЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar5226175
^aВАКУУМНО-ТЕРМИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar39284
^aЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar1872074
^aОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar1778938
^aШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar24113
^aПОДЛОЖКИ (электроника)
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar15096
^aКРЕМНИЙ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar15092
^aКРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar2187791
^aКАРБИД КРЕМНИЯ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar5334833
^aКАРБИДИЗАЦИЯ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar7368
^aГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar34161
^aТОНКИЕ ПЛЕНКИ
^2DVNLB
615 ^3BY-SEK-ar1826174
^aБелорусский национальный документ
686 ^a22.379.2
^2rubbk
690 ^a1
^2Base
^9BY-HO0000
^xRSEK
690 ^a11
^2Vid
^9BY-HO0000
700 1 ^3BY-CNB-ar2718704
^aЛобанок
^bМ. В.
^gМихаил Владимирович
^cкандидат физико-математических наук
712 0 2 ^3BY-NLB-ar167094
^aБелорусский государственный университет
^cМинск
^4995
^4595
801 0 ^aBY
^bBY-HM0005
^c20250217
^gRCR
801 2 ^aBY
^bBY-HO0000
^c20250731
^gRCR
035 ^a(BY-HO0000)BY-CNB-br5762067
899 0 ^aBY-HO0000
^iЛ68