Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов / И. И. Абрамов, Е. Г. Новик ; Бел. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники

Автор(ы): Абрамов, Игорь Иванович, доктор физико-математических наук, род. 1954;
                   Новик, Елена Геннадьевна
Ответственные организации: Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, МинскЯзык документа: Русский.Страна публикации: BY.Издательство: Минск : Бестпринт, 2000Физическая характеристика: 163 с.ISBN:985-6227-92-5.ББК: 32.852.3Note(s): Библиография: с. 152—161 (122 назв.).Наименование темы, используемое как предмет: ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ | НАНОЭЛЕКТРОНИКА | ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ | ТРАНЗІСТАРЫ | ЛІКАВАЕ МАДЭЛЯВАННЕ | НАНАЭЛЕКТРОНІКА | ТРАНЗИСТОРЫ | ТУНЭЛЬНЫ ЭФЕКТ
Метки из этой библиотеки: Меток нет.
Зарегистрируйтесь, чтобы добавлять метки.
    средняя оценка: 0.0 (0 голосов)
Тип единицы Местонахождение Состояние
Книги, брошюры Книги, брошюры
ГОУБ. Отдел хранения основного фонда
Выдается

Библиография: с. 152—161 (122 назв.).

300 экз.

Нет никаких комментариев для этого документа.

Войти в учётную запись для возможности публиковать комментарии.
Языки: